Mario Carpentieri

Data e luogo di nascita: Locri (RC), Italy - 06 dicembre 1973
Posizione attuale: Professore Associato – Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell’Informazione, Politecnico di Bari, Via E. Orabona 4, I-70125 Bari (Italy)
Telefono: +39.080.5963254, +39.320.8647353
Fax: +39. 080.5963410
e-mail: mario.carpentieri@poliba.it

IIET-01/A

Aprile 2017: Abilitazione Scientifica Nazionale alle funzioni di Professore Universitario di prima fascia per il settore concorsuale 09/E1 –Elettrotecnica (ING-IND/31).
Da gennaio 2016: Responsabile scientifico dell’Unità di Ricerca di Elettrotecnica di Bari all’interno del Gruppo nazionale.
Da ottobre 2015: Professore Associato per il SSD ING-IND/31 – Elettrotecnica. Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell’Informazione, Politecnico di Bari.
Febbraio 2014: Abilitazione Scientifica Nazionale alle funzioni di Professore Universitario di seconda fascia per il settore concorsuale 09/E1 –Elettrotecnica (ING-IND/31).
Da maggio 2012 a ottobre 2015: Ricercatore universitario per il SSD ING-IND/31 – Elettrotecnica. Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell’Informazione, Politecnico di Bari.
Da febbraio a marzo 2012: Contratto di collaborazione presso il Dipartimento di Elettronica, Informatica e Sistemistica dell’Università della Calabria.
Novembre 2011: Visiting Researcher presso il Dipartimento di Fisica – Laboratorio per la Fisica Atomica e dello Stato Solido, Cornell University, Ithaca, NY, USA. Topic della ricerca: “Theoretical study and modeling of spin-hall nano-devices”.
Luglio 2011: Vincitore di una borsa post-doc triennale bandita dall’Università della Calabria.
Da febbraio 2010 a gennaio 2012: Assegnista di Ricerca presso il Dipartimento di “Elettronica, Informatica e Sistemistica”. Titolo dell’assegno: “Studio di dispositivi di memoria su scala nanometrica”. Attività di ricerca per l’area Elettrotecnica ING-IND/31, Università della Calabria.
Settembre 2009: Visiting Researcher presso il Dipartimento di Fisica – Università di Salamanca, SPAIN. Topic della ricerca: “Micromagnetic simulations of spintronic nano-devices”.
Maggio 2009: Visiting Researcher presso il Dipartimento di Fisica – Laboratorio per la Fisica Atomica e dello Stato Solido, Cornell University, Ithaca, NY, USA. Topic della ricerca: “Designing and modeling of spintronic nano-devices”.
Settembre 2008: Visiting Researcher presso il Dipartimento di Fisica della Università di Salamanca, SPAIN. Topic della ricerca: “Nanoscale Modeling of Magnetization Dynamics excited by Spin Polarized Currents”.
Da febbraio 2008 a gennaio 2010: Assegnista di Ricerca presso il Dipartimento di “Elettronica, Informatica e Sistemistica”. Titolo dell’assegno: “Calcolo micromagnetico di dinamiche di magnetizzazione in nanostrutture per applicazioni di Spintronica”. Attività di ricerca per l’area Elettronica ING-INF/01, Università della Calabria.
Da novembre 2005 a ottobre 2007: Assegnista di Ricerca presso il Dipartimento di “Ingegneria Industriale”. Titolo dell’assegno: “Sperimentazione per applicazioni di diagnostica elettromagnetica non distruttiva”. Attività di ricerca per l’area Elettrotecnica ING-IND/31, Università di Perugia.
Febbraio 2005: Esame finale di dottorato in “Tecnologie Avanzate per l’Optoelettronica e la Fotonica e Modelizzazione Elettromagnetica”. Titolo della tesi: “Micromagnetic study of magnetic multilayers for spintronic applications”.
Da settembre a dicembre 2004: Borsa ERASMUS di dottorato presso l’Università di Salamanca (Spagna).
Da agosto a settembre 2002: Visiting Researcher presso l’Istituto di Microelectronica di Madrid (CNM-CSIC), Tres Cantos, Madrid, SPAIN.
Da novembre 2001 a febbraio 2005: Dottorato di ricerca presso il Dipartimento di “Fisica della Materia e Tecnologie Fisiche Avanzate” in “Tecnologie Avanzate per l’Optoelettronica e la Fotonica e Modelizzazione Elettromagnetica”, per l’area Elettrotecnica ING-IND/31, Università di Messina. XVII ciclo.
Da settembre 2000 ad agosto 2001: Borsa di Perfezionamento all’estero post-laurea in “Progettazione di elettronica analogica e digitale”. Università Comillas di Madrid - Spagna.
Dicembre 1999: Laurea in Ingegneria Elettronica, Università di Messina.

Giovedì 09:00-13:00 (Studio del docente, I piano DEI - palazzo storico del Dipartimento.)